根据IPD技能的集总元件低通滤波器规划的详细计划（上）

  这里是我对IPD的学习笔记，而且测验规划了一款准切比雪夫低通滤波器，共享给我们。如有过错，恳请不吝赐教。

  其间Rs和 Ls 别离表明电感金属螺旋导线部分的串联电阻和电感。Cs 为金属螺旋导线各匝之间的电容。

  Cox 表明金属螺旋导线与氧化硅称底层之间的电容，Csi和 Rsi 别离表明衬底硅的耦合电容和漏电电阻。

  其间 KK1、 2是由电感金属导带形状来确认的常数，可以由下表得到， u0是真空磁导率，n 表明金属导带的圈数，davg表明的是金属导带内径和外径的平均值。ρ 代表了线圈填充率，公式为

  Eox表明的为金属导带间的相对介电常数， tox表明的是金属导带穿插的当地

  介质层的厚度为 d；S 为上下两极板面积；介质的介电常数为Er，空气的介电常数为E0

  相同可以终究靠电磁场仿真软件建模核算，得到必定作用电容值和物理尺度的联系曲线。公式如下