证券之星音讯，依据企查查多个方面数据显现捷捷微电（300623）新取得一项发明专利授权，专利名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法”，专利申请号为CN8.3，授权日为2024年3月8日。
专利摘要：本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法，其经过把门极和阳极规划在同一侧，阴极规划在另一侧，使得阴极和底板能够焊接在一起，提高了散热作用和产品的di/dt值，而且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的使用空间，所述芯片包含从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶资料区N，其特征是：所述芯片的门极和阳极设置在上外表，阴极设置鄙人外表，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超越PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。
今年以来捷捷微电新取得专利授权9个，较去年同期增加了800%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研制方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。
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证券之星估值剖析提示捷捷微电盈余才能杰出，未来营收成长性一般。归纳基本面各维度看，股价合理。更多
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